ÉPITAXIE

ÉPITAXIE

ÉPITAXIE

Phénomène d’orientation mutuelle de cristaux de substances différentes dû à des analogies étroites dans l’arrangement des atomes des faces communes. Les lois de l’épitaxie ont été énoncées en 1928 par L. Royer. L’épitaxie n’est possible que s’il existe une maille plane, simple ou multiple simple, quasi identique en forme et en dimensions dans les deux réseaux et si les ions du cristal orienté, qui remplacent ceux du cristal support dans la croissance, sont de même signe qu’eux. L’épitaxie syngénétique comprend les cristaux mixtes isomorphes ou partiellement isomorphes et les syncristallisations eutectiques, soit originelles, soit par exsolutions telles que les pegmatites graphiques ou divers autres cas d’exsolutions: (HFe²³H) à partir du feldspathaventurine, cancrinite à partir du wolfram, (FeTiO³) à partir du diallage, (HFe³⁴) à partir du mica ou de la chlorite. Les paragenèses métallogéniques s’expliqueraient souvent par une épitaxie épigénétique où le cristal «dépôt» s’installe sur le support préexistant (rutile sur oligiste, CuFeS² sur cuivre gris, PbCl² sur PbS, pyrite sur marcassite), ou en est même expulsé (scheelite sur wolfram, rutile sur anastase, calcite sur aragonite). Les pseudomorphoses seraient des épitaxies secondaires.

On utilise cette propriété d’orientation mutuelle pour fabriquer des dispositifs à semiconducteurs (transistors, circuits intégrés). Pour cela on dépose, souvent par évaporation sous vide, une substance dopée sur un monocristal de la même substance pure. On obtient alors un monocristal présentant deux zones de dopage différent, séparées par une jonction.

● épitaxie nom féminin (grec epitaksis, ordre) Phénomène d'orientation mutuelle de cristaux de substances différentes, utilisé en électronique dans l'élaboration des composants à semi-conducteurs. (L'épitaxie est réalisée en chauffant à haute température le semi-conducteur que l'on désire utiliser et en le faisant balayer par des vapeurs d'iode. Elle permet de réaliser des transistors de caractéristiques très améliorées.)

épitaxie

n. f. ELECTRON Technique de fabrication de dispositifs semiconducteurs, permettant notam. la réalisation de circuits intégrés.

épitaxie [epitaksi] n. f.

ÉTYM. 1961, in G. L. E.; de épi-, et -taxie.

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♦ Phys. Phénomène d'enchevêtrement dirigé des molécules de deux corps présentant des analogies étroites de structure. || « La fusion en surface du silicium est suivie d'une recristallisation très rapide par épitaxie en phase liquide » (la Recherche, n^o 100, mai 1979, p. 571).

Encyclopédie Universelle. 2012.